DIPIPM自举电路五-驱动条件对充电状态的影响(2)

(3) 不同自举电容容值对比：BSC=1μF, 4.7μF, 22μF
3种不同自举电容容值情况下的仿真结果如图1-24~1-26所示。当自举电容容值非常小时，自举电容电压大幅降低，VDB的最小值也急剧降低，电压脉动增大。DIPIPM推荐的VDB脉动范围是在2Vp-p以内。  
(4) 不同输出电流下对比：Io=5A(峰值), 2A(峰值)(fo=60Hz, 20Hz)
四种条件下的输出电流仿真结果如图1-27~1-30所示。如1.3.1中提到的，充电开始电压是随输出电流值变化的。当输出电流较小时，开始充电的电压值在模式1的范围内下降(正向电流区域)，在模式2的范围内上升(负向电流区域)。因此自举电容电压的上下限值都是随输出电流值变化的。电流较小时，最大充电电压会降低(如图1-27和1-28)。模式2充电时，随着开始充电的电压增大，最小充电电压也会增大，充电将会更容易(如图1-29和1-30所示)。 由上(1)~(4)可知，自举电容的充电状态随外界条件的变化而变化。除了自举电容的电容值，充电状态主要受到以下条件的影响：
充电状态也会受到其他条件如PWM控制方法(如两相调制正弦波控制)，功率因数，调制率，自举电容特性(如电容耐受性，温度，直流偏压，寿命)，IGBT特性的影响。因此在系统设计阶段需要做足够的确认和充分的评估。
所有的仿真都是在控制电源电压VD=15V时进行的，如果VD 发生变化，降低到14V。这将直接导致上述所有结果中VDB的电压降低。所以对控制电源电压VD 变化情况的考虑也是非常重要的。