IGBT迎来其发展的黄金时期

1980年3月25日，在纽约RCA公司工作的Hans W. Becke和C. Frank Wheatley, Jr. 提交了一个美国专利申请，该专利于1982年12月14日进行公开，公开号为US4364073A，这便是我们熟知的关于IGBT的专利，而在当时，RCA公司将器件称之为“COMFET”，但随后被JEDEC固态技术协会指定为“IGBT”。IGBT的发明，为我们以后的生活、工业发展带来了革命性的改变。
关于IGBT的US4364073A发明专利主要有以下内容：垂直MOSFET包括一个半导体衬底，其中包括串联的相邻源极、体区、漏极和交替导电类型的阳极区。体区与衬底表面相邻，源区和漏区被隔开，从而限定了该表面体区的沟道部分。体区和漏区的电导率和配置可以调整，以使器件功能基本上像个非再生晶体管。在器件操作中，阳极区提供少数载流子注入到漏区，从而降低了器件阈值电压和导通电阻，同时增强了正向传导。
在其发展的31年中，IGBT已经从许多公司的不断改进中受益：IGBT的额定电压达到了上千伏，优化了导通损耗，提高了开关特性及短路承受能力。IGBT己用于高功率设备的变速驱动、逆变器和风力涡轮机，也已成为汽车中的标准，可通过精确的点火时间节省燃料，并通过单片稳压二极管为不必要的高能量脉冲提供耗散。
中国作为功率半导体的大市场，对于IGBT的需求也呈上升趋势。从国家对电力电子及其应用行业的政策来看，成长空间还很大。虽然本土的IGBT与国际水平有些差距，但作为后起之秀，越来越多的本土企业也呈现出强劲的发展势头，不但服务于本土，还逐步走出国门，走向世界。