半导体功率器件：野百合也有春天！

疲软不振的功率器件迎来了发展动力:大项目的带动，或让功率器件即将续写辉煌，新材料的出现，让功率器件有望迎来一个春天。文章来源：http://www.igbt8.com/news/262.html

光伏产业产能过剩一直为人所诟病，然而政府的一再扶持让大多数企业不舍得放手，如今，光伏产业即将再一次得到政府的政策扶持，广大光伏企业也能借此获得一线生机，同时，光伏产业的重振将会带动对于IGBT、太阳能逆变器等功率器件的需求。

大项目又立功了。随着可再生资源、轨道交通和工业控制等行业市场的高速增长，IGBT产品有了更大的市场，尤其是高电压的IGBT更受青睐。在这方面，中国市场有着重要的贡献，中国政府将大规模采购动车组列车，投资智能电网，大举进军光伏产业，这些都将推动市场对于更高电压范围IGBT的市场需求。

国内功率器件起步晚，关键技术缺乏，唯有发力在准入门槛较低的小功率市场，才能很好地生存发展，加之我国是世界上最主要的家电生产和消费国，所以国内企业进入家电领域是最适合的切入点。

业界对于新能源、再生能源的兴趣越来越高，以高压集成电路（HVIC）、IGBT、超结结构的高压MOSFET为核心高压功率开关器件的600V级别电力电子功率模块和组件也获得了越来越广泛的应用，在拥有了完整的研发的体系之后，厂商可以更加从容地进驻市场，士兰微正在走着这样一条路。

虽然投入巨大，但当有了生产支撑之后，企业将可以掌握更多话语权。

SiC及GaN新材料功率器件相比传统硅器件拥有明显的优势。然而，因其成本问题，未能形成规模，但这并不妨碍厂商对其积极的投入，包括罗姆、住友电气、三菱电机等纷纷发力SiC功率器件，IR、Transphorm、富士通半导体（负责制造）等关注GaN功率器件，甚至已有出货，加之更多的企业准备着手研发新材料器件，未来的竞争将更加激烈。

随着芯片的性能越来越强劲，其功耗也越来越过高，发热也不断增加，让设计者倍感头痛。但是，一项新的发现可能为设计者带来了好消息。MIT科学家研制出了一种由单个光子控制的全光开光，这种新的全光晶体管能有效应对芯片的能耗问题。

半导体材料的晶体管在今后会遇到工艺瓶颈，而且会以热能的形式浪费大量能源，美国科学家制造出了没有半导体的晶体管，这就可以避免半导体材料本身的缺点，有可能会让电子产业朝另外一个方向发展。

人们的电子设备设备越来越多，每个设备都有充电需求，有线充电方式越来越不方便，无线充电方案得到追捧。大部分的无线电源解决方案专注于与工作频率约在200 KHz的感应线圈解决方案的紧密式耦合，以及E、F、S类放大器的转换器拓扑。可是近来市场要求器件工作在受限及未经许可使用的、更低的ISM频带（6.78 MHz）。增强型氮化镓场效应晶体管可作为MOSFET的替代器件，因为它具足够快速的开关性能，为无线电源应用的理想器件。

特斯拉的出现让电动汽车等系能源汽车受到关注，然而较高的成本让消费者望而却步，硅材料之外的SiC材料有助于新能源汽车成本的降低。相比于硅基半导体，SiC半导体拥有更好的高频、大功率、高辐射性能，非常适合于用在电力机车、混合动力汽车等对大功率半导体器件有需求的领域。

随着SiC器件的增长速度不断加快，厂商开始发力SiC器件的研发，并推出新品，以期在未来市场占得一席之地。

SiC和GaN材料同属宽禁带(WBG)半导体。WBG材料的最大特点是绝缘击穿电场强度较高。利用这个性质，就可提高与Si元件相同结构时的耐压性能。只要实现有耐压余量的结构，将这部分单元缩小、提高集成度，就可降低导通电阻。罗姆公司讲述其一系列的SiC与GaN的功率器件产品。