三菱电机功率器件发展的里程碑

功率半导体科技的引领者 三菱电机从事开发和生产功率半导体器件已有四十余年的历史，她成功主导了业界的功率半导体器件从电流控制GTO和双极达林顿晶体管发展到电压控制IGBT。在此领域持续性和创造性的研究与开发，成就了三菱电机今天的领先地位。文章来源：http://www.igbt8.com/news/265.html
作为全球第一家掌握功率半导体硅片技术和封装技术的公司，三菱电机创造性地提出了智能功率模块（IPM）的概念。IPM概念被全球市场广泛认可，迅速成就了三菱电机在功率半导体市场的领导地位。逆变器、驱动电路和保护电路一体化的解决方案大大减小了系统体积、成本和开发时间。
三菱电机已获业界认可新一代IGBT硅片—CSTBT(载流子存储沟槽双极晶体管)，在饱和压降和关断损耗的折中方面表现了卓越性能，使我们的模块在马达控制、电力牵引、电梯、电焊机、UPS、白色家电、水泵和医疗仪器等众多领域得到了广泛的应用。专用的IGBT和IPM模块也引起了风能、太阳能等可再生能源领域的高度关注。
三菱电机功率半导体还具备更高的效率和更低的损耗，通过更为先进的制作工序和芯片技术开发了HVIGBT模块，使其在电力牵引应用中的可靠性达到最高。
三菱电机紧随市场对高效紧凑模块的需求。目前，每月生产数以600万片的DIPIPM（双列直插智能功率模块）模块并通过100%功能测试。紧凑型封装的DIPIPM和超小型DIPIPM在白色家电领域的应用实现了高性价比。

三菱电机功率器件年代表

<表1>：三菱电机功率器件发展路线图

1956年,大功率二极管研制成功 (400V/100A)
1962年,大功率晶闸管研制成功  (1.2kV/250A)
1968年,关于IGBT的技术思想获得专利 (K. Yamagami)
1979年,晶体管模块研制成功(600V/50A)
1982年,GTO 研制成功(4.5kV/2kA)
1989年,IGBT 模块研制成功(500V/300A)
1989年,IPM (智能功率模块) 研制成功(600V/150A)
1996年,沟槽栅型 IGBT 进入商业化
1996年,DIPIPM 发明成功
1996年,HVIGBT 研制成功(3.3kV/1200A)
2002年,新一代的 CSTBT 硅片发明成功
2004年,SiC MOSFET 研制成功(1.2kV/1A)
2005年, 应用于 DIPIPM(600V/3A)的 RC-IGBT 硅片研制成功
 
 <表2>：  三菱电机IGBT模块发展路线图

1989年,第1代IGBT模块研制成功
1992年,第3代IGBT模块(H-系列)研制成功
1996年,第4代IGBT模块(沟槽栅型IGBT，F-系列)研制成功
1996年,3.3kVHVIGBT模块研制成功
1998年,4.5kV HVIGBT模块研制成功
2001年,高频IGBT模块(DUS-系列) 研制成功
2002年,6.5kV HVIGBT模块研制成功
2002年,大功率两单元模块(第5代IGBT, MPD) 研制成功
2003年,第5代IGBT模块 (A/NF-系列)研制成功
2003年,高频IGBT模块(NFH-系列) 研制成功
2010年,第6代IGBT模块研制成功

<表3>： 三菱电机IPM模块发展路线图

1989年,IPM (智能功率模块)  发明成功
1991年,工业用IPM 开始量产
1994年,牵引用HV-IPM 研制成功
1994年,高端变频器用ASIPM  研制成功  
1995年,带有源钳位功能的牵引用MVIPM 研制成功
1996年,变频家电用DIPIPM  研制成功
1997年,EVIPM(第1代车用 IPM) 研制成功
2002年,DIPPFC (带整流功能) 研制成功
2003年,第5代 IPM 研制成功
2003年,车用DIPIPM 研制成功
2005年,1200V  DIPIPM 研制成功
2005年,太阳能发电用PV-IPM  研制成功
2010年,带SiC 反并联二极管的DIPIPM 开始投入市场