IGBT驱动参数评估三-关断栅射电容CGE

 3.2 IGBT驱动栅射电容CGE的变化对IGBT模块关断过程的影响
类似于栅极电阻RG的变化，可以观察到，不同的CGE对IGBT电压尖峰、dv/dt及di/dt没有明显的影响，只是CGE增加会使整个关断行为延迟的越来越多。
Max(C2): 15.42V, Max(C3): 94A, Max(C4): 488V Max(C2): 15.42V, Max(C3): 94A, Max(C4): 488V Max(C2): 15.42V, Max(C3): 94A, Max(C4): 488V Chart 3 summarizes the results. Reference point for td is the measurement with RG = 1.8Ω and no additional CGE(Figure 10).转载请注明出处 http://www.igbt8.com