IGBT驱动参数评估十二-二极管关断

5 二极管关断过程分析
可以通过改变一些参数分析二极管的关断行为，下面会详细讨论。为了便于比较，引用了一个典型的测量基准。
5.1 IGBT驱动栅极电阻RG的变化
如图41、42、43所示，增加的门极电阻会对IGBT的开通行为有以下影响：
降低二极管的反向恢复峰值电流Irr
降低di/dt
降低dv/dt
降低二极管关断过程的整体震荡。
Max(C2): 17.08V, Max(C3): 77A, Max(C4): 638V Max(C2): 15.83V, Max(C3): 77A, Max(C4): 521V Max(C2): 13.75V, Max(C3): 77A, Max(C4): 404V Chart 7 summarizes the results as function of the gate resistor RG.转载请注明出处 http://www.igbt8.com 5.3 变化的门极发射极电容CGE
如图44、45、46所示，增加的门极发射极电容对IGBT的动作影响如下：
降低二极管的反向恢复峰值电流Irp
降低di/dt
降低dv/dt
降低二极管关断过程的整体震荡。
Chart 8 summarizes the results as function of the gate-emitter capacitor CGE.
Max(C2): 16.66V, Max(C3): 77A, Max(C4): 600V Max(C2): 13.32V, Max(C3): 77A, Max(C4): 392V Max(C2): 12.08V, Max(C3): 75A, Max(C4): 388V 5.3 变化的负端门极电压VGE,min
关于二极管关断过程的开关行为，可以看到，-8V或者0V的负端门极电压对二极管的正向压降VF及正向电流IF没有差别。
Max(C2): 17.08V, Max(C3): 77A, Max(C4): 638V Max(C2): 16.66V, Max(C3): 77A, Max(C4): 625V