IGBT驱动器2SP0320T及2SP0115T的注意事项(2)

关于2SP0115T2C0/2SP0320T2C0：
2SP0115T2C0/2SP0320T2CO与以往对应驱动板的不同之处在于原边信号的处理。文章来源：http://www.igbt8.com/qd/187.html
1．通常，IGBT的应用中都存在比较强的EMI。鉴于在3.3V,5V的逻辑电平在这样的应用条件较易引入干扰，所以2SP0115T2C0/2SP0320T2CO取消了兼容3.3V, 5V的逻辑电平，只适用于信号为15V的逻辑电平：
2．在INA/INB的信号处理上，IGBT驱动器本身植入了分压电路，直接将施密特特性的逻辑低电平的门槛从1.3V提高为5V，将逻辑高电平的门槛从2.6V提高为10.5V。
3．IGBT驱动器分别将两路状态信号SO1，SO2通过10k电阻上拉；
4．如果在SO1，SO2信号接收处通过一个高阻抗电阻下拉的话(如150k)，可实现IGBT驱动器与控制器之间连接线断线的检测功能；
针对C0 IGBT驱动器的外围电路设计 注意：
1.为了避免R1，R2分别与10K电阻形成分压电路，R1，R2需采用大阻抗电阻，如大于等于150K;
2.与以往同类型产品不同之处是SO无需再上拉至15V，而是可以下拉至GND.
与2SP0115T2A0/B0以及2SP0320T2A0/B0的外围电路设计区别：
主要体现在SO信号的处理完全不同：