EXB系列集成IGBT驱动电路(3)

2. EXB系列驱动器应用电路
应用EXB850和EXB851驱动器分别能驱动150A/600V、75A/1200V、400A/600V、300A/1200V的IGBT，驱动电路信号延迟时间小于4us，适用于高达10kHz的开关电路。EXB840和EXB841高速型骆动器分别能驱动150A/600V、75A/1200V、400A/600V、200A/1200V的IGBT，驱动电路信号延迟时间小于1us，适用于高达40kHz的开关电路。如果IGBT集电极产生大的电压尖脉冲，可通过增大IGBT栅极串联电阻RG的阻值来加以限制。
(1) EXB850应用电路
    采用EXB850混合集成电路能驱动高达150A/600V的IGBT和高达75A/1200V的IGBT。
由于驱动电路信号延迟时间少于4us，所以此混合集成电路适用于10kHz的开关速度。在应
用EXB850混合集成电路时应注意以下事项。
1）IGBT栅极发射极驱动回路接线长度必须小于1m。
2）IGBT栅极-发射极驱动回路的连接导线应为双绞线，以减少干扰信号的影响。
3）若应用中IGBT、集电极有电压尖脉冲产生，为抑制IGBT集电极产生的电压尖脉冲，应增加IGBT栅极串联电阻(RG)的阻值。
EXB850的应用电路如下图所示，图中33uF电容器不是电源滤波电容器，其功能是抑制因供电电源接线阻抗变4化而引起的供电电压变化。EXB850的使用特点如下：
1）EXB850驱动芯片是通过检测IGBT在导通过程中的饱和压降UCE来实施对IGBT的过电流保护的。对于IGBT的过电流处理完全由驱动芯片自身完成，对于电动机驱动用的三相逆变器实现无跳闸控制有较大的益处。 2）EXB850驱动芯片对IGBT过电流保护的处理采用了软关断方式，因此主电路的du/dt比硬关断时小了许多，这对提高IGBT工作的可靠性和延长使用寿命有利。
3）EXB850驱动芯片内集成了功率放大电路，这在一定程度上提高了驱动电路的抗干扰能力。
4）EXB850驱动芯片最大只能驱动l200V/300A的IGBT，并且它本身并不提倡外加功率放大电路。另外，从上图中可以看出，该类芯片为单电源供电，IGBT关断所需的5V电压信号是由芯片内部产生的，容易受到外部的干扰。因此，对于300A以上的IGBT或者IGBT并联应用时，应考虑采用其他系列的驱动芯片，比如三菱公司的M57962L等。采用EXB850混合集成电路驱动IGBT时推荐的栅极电阻和电流损耗见下表。 (2) EXB851应用电路
采用EXB851混合集成电路能驱动高达400A/1600V的IGBT和高达300A/1200V的IGBT。因为驱动电路信号延迟时间不大于4us，所以此混合集成电路适用于10kHz的开关工作。在应用EXB851混合集成电路时应注意以下事项。
1）IGBT栅极发射极驱动回路接线长度必须小于1m。
2）IGBT栅极发射极驱动回路的连接导线应为双绞线，以减少干扰信号的影响。
3）若应用中IGBT集电极有电压尖脉冲产生，为抑制IGBT集电极产生的电压尖脉冲，应增大IGBT栅极串联电阻(RG)的阻值。
EXB851的应用电路如下图所示，图中47uF电容器不是电源滤波电容器，其功能是抑制由供电电源接线阻抗变化引起的供电电压变化。采用EXB851混合集成电路驱动IGBT时推荐的栅极电阻和电流损耗见下表。 (3) EXB840应用电路
采用EXB840混合集成电路能驱动高达150A/1600V的IGBT和高达75A/1200V的IGBT。因为驱动电路信号延迟时间不大于1us，所以此混合集成电路适用于40kHz的开关工作。在应用EXB840混合集成电路时应注意以下事项。
1）IGBT栅极发射极驱动回路接线长度必须小于1m。
2）IGBT栅极发射极驱动回路的连接导线应为双绞线，以减少干扰信号的影响。
3）若应用中IGBT集电极有电压尖脉冲产生，为抑制IGBT集电极产生的电压尖脉冲，应增大IGBT栅极串联电阻(RG)的阻值。
EXB840的应用电路如下图所示，图中33uF电容器不是电源滤波电容器，其功能是抑制由供电电源接线阻抗变化引起的供电电压变化。采用EXB840混合集成电路驱动IGBT时推荐的栅极电阻和电流损耗见下表。