中子破坏功率器件的空间电荷区电场(原子电离反应),造成器件失效。
功率器件的宇宙射线失效率:影响因素
器件阻断状态下承受的电压(VCE):电压上升,失效率上升(同一器件)
DC Stability (IHV): VCE @ 100 FIT
海拔高度:高度上升,失效率增加
芯片温度(结温):结温增加,失效率下降
英飞凌功率器件的失效率(估算+统计):
MTBF (Mean Time Between Failures) 平均无故障时间:
一个变流器MTBF寿命估算的例子:
5000 Fit MTBF = 10e9 / 5000 / (24*365) = 22.8 (years)