英飞凌第4代IGBT芯片技术

英飞凌第4代IGBT芯片技术-IGBT4 IGBT4模块封装
IGBT4：基于IGBT3技术

IGBT4：基于IGBT3技术，按应用优化特性

分别针对小、中、大功率应用而设计的三种IGBT4芯片

小功率IGBT4–T4

􀂄 为中、小功率应用设计

􀂄 用于中、小功率模块

􀂄 在T3的基础上

- 提升开关速度

- 使关断波形更平滑一些

􀂄 电压等级：1200V

􀂄 适用开关频率：≤20kHz

􀂄 配用小功率EmCon4二极管

中功率IGBT4–E4

􀂄 为中、大功率应用优化设

􀂄 用于中、大功率模块

􀂄 在E3的基础上

- 提升开关速度

- 使关断波形更平滑一些

􀂄 电压等级：1200V，1700V

􀂄 适用开关频率：≤8kHz

􀂄 配用中功率EmCon4二极管

大功率IGBT4–P4

􀂄 为大功率应用优化设计

􀂄 用于大功率模块

􀂄 在E3的基础上

- 使关断过程“软”

- 降低关断速度

􀂄 电压等级：1200V，1700V

􀂄 适用开关频率：≤3kHz

􀂄 配用大功率EmCon4二极管
IGBT4（1200V）：特征参数的调整：

饱和电压

T4-小功率IGBT4：开关能耗低于T3 （提高了开关速度）

E4-中功率IGBT4：开关能耗低于E3 （提高了开关速度）

P4-大功率IGBT4：开关能耗高于E3 （降低了关断速度，使关断“柔软”）

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