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晶闸管被存储的延迟电流激发

每个PN 结都会有感应电容,它们同电压值有关,没加电压时它们是最大值,随着电压的升高而降低。当电压变化时(在大的dv/dt),电容放电会使PN 结流过一个延迟电流。当这个电流达到一定数量值时,如同任何一个基极-发射极电流一样,就会激发晶闸管。
外加电压超过翻转电压时晶闸管被激发(从头部激发)
当外加电压超过一定值时,晶闸管被激发并导通(见图2.2.12)。因为截止电流随着温度的升高而增加,所以所需的激发电流就会随着温度升高而变小。这样翻转电压的门限就随着温度的升高而降低。
晶闸管通过电流电压曲线
晶闸管通过光辐射和加热激发
光辐射可以是空间电荷区的带电载子离开空间电荷区,流向阴极。这就形成了激发电流。当晶闸管被加热时也会出现同样的现象。
关断特性
同功率二极管相似(第2.2.1.4 章节),当晶闸管导通时,半导体充满了带电离子。当外接电源反接时,这些带电离子必须被释放掉才能使晶闸管承受反向电压。所以当晶闸管接一个正向电压时,在半导体内的剩余带电离子就能形成激发电流,而激发晶闸管。自由转换时间是指当晶闸管没有被激发时,从电流到零时到电压上升通过零时的时间段(见图2.2.13)。晶闸管典型的自由转换时间是100 到500 μs。快速晶闸管(高频晶闸管)是指通过降低载子寿命,而使自由转换时间降到 10 到100 μs 的晶闸管。

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