MOSFET功率模块

对低耐压的MOSFET 模块来说，5%到30%的导通电阻RDS(on)是由单元电阻构成。对高耐压的MOSFET，在几年前还有超过90%以上的导通电阻RDS(on)来自n-外延区的电阻。一个功率MOSFET 的RDS(on)同通态压降V(BR)DSS 的关系为：

RDS（on）= k · V（BR）DSS

2.4…2.6

其中 k 为材料常数，比如，在每平方厘米k = 8.3 ·10-9A-1

导通压降为：

VDS(on) = ID · RDS（on）

其中ID 为漏极电流。这表明对耐压超过400V 的晶体管，它的通态压降远远超过同样耐压的IBGT。

从1999 年开始利用补偿理论设计的MOSFET（超级注入型MOSFET，参见第2.4.3.3章节），能使截止电压不在同n-区掺杂度有紧密联系，从而使阻抗明显降低。根据[文献25]，这种MOSFET 的通态阻抗为：

RDS（on）= k · V（BR）DSS

1.3

从公式可看出，通态压降对电阻的影响明显减小。对于MOSFET 的实际应用中的优势，是因为双极元器件的纯电阻和没有门限电压的输出曲线。而单极MOSFET 的优势在于，除了在开通时的少数载流子，电荷在移动过程中没有存储效应，所以开关切换迅速。

在实际的应用中，功率MOSFET 特性受到现实的感应元素影响，为了更好的理解它的特性，我们给出它的结构原理图和等效电路图

表2.4.3 列出了图2.4.16 中标出的感应电容和电阻的物理解释。

除了内部的电容和电阻，其等效电路含有一个理想的MOSFET，一个npn 晶体管：n+源区 (发射极)/p+区 (基极)/n 漂移区 (集电极)以及寄生npn 双极晶体管基极-发射极之间的电阻RW。电阻RW同寄生的双极晶体管的基极-集电极部分构成了逆向二极管，使功率MOSFET 的具有反向导通特性。

上海菱端电子科技有限公司：

   联系人：夏小姐
   服务热线：021-58979561
   业务咨询qq：447495955
   业务咨询qq：1852433657
   业务咨询qq：513845646
   技术支持qq：313548578
   技术交流群：376450741
   业务咨询:

业务咨询:

技术支持:

媒体合作: