在MOSFET 被关断时,电容CGD 很小,约等于电容CDS。在导通状态时,一旦栅极-源极的电压超过漏极-源极的电压,在栅极下的增强层扩大,电容CGD 将快速增大。在大多数的数据文件(3.4.3 章)中给出了,关断的晶体管的小信号电容Ciss, Crss 和Coss。
然而,这些参数只能有限制的被用来计算开关特性。原因在论述IGBT 已经阐述。MOSFET 的开关特性可以被看成只有感性电阻负载的硬性开通和关断。也就是说,负载的时间常数L/R 远比开关的周期1/f 要大。图2.4.19 给出了漏极电流和漏极-源极电压的波形,可以参考前面的关于IGBT 的论述。除了晶体管和二极管的非理想性特性的影响,电流回路中一些被动元器件也会对功耗和工作点的移动造成很大影响。