IGBT耦合电容

具体到那个接口和产生多大感应电压取决于它的接地效果。在整流器中必须采取适当的连接半导体器件的措施（如星形电容连接），尽量靠近半导体器件，这时电流iE 不会流过控制和监控设备。但它会被对地保护装置检测到，并导致触发这个装置。对于高漏电流系统在相关功能的标识中，有特殊的标识和保护线路的最低截面积（EN50178 标准，EN61800-5-1）的要求。

图2.5.27 给出了最常见标准厚度的基板材料的电容量。由于不同的电介质常数和导热性决定的标准厚度，最大的是氮化铝（AIN）基板630 微米，IMS 基板120 微米（环氧树脂）以及最小的25 微米（聚酰亚胺），它们会产生不同的电容量，从而决定了在最高允许开关速度dvCE/dt 的条件下，对地漏电流iE 的最大极限值。