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高端变频器用L1系列IPM(2)


IPM接口电路设计如下图:
IPM外围接口电路设计
其中:
IPM外围电路元件参数
IPM接口电路推荐参数如下:
控制电源:VD=15V±10%,dv/dt≤±5V/μs,Vripple≤2Vp-p;P侧(上臂) 三相请使用相互隔离的控制电源。CLA/B(6单元),RLA/B(7单元)型的N侧(下臂)的三相可以使用共同的电源,总计需要使用4个控制电源(例:Hybrid IC M57140)。但是,450A/600V、200A/1200V以上的模块的N侧也推荐使用独立的3个电源,合计使用6个控制电源。
上臂电源的平滑电解电容:≥10μF;
下臂电源的平滑电解电容:≥33μF;
退耦电容:0.1μF;
开关频率fPWM:15KHz(典型值),此即为控制信号的载波频率;
死区时间tdead:≥3.5μs(注:此为IPM输入端控制信号的死区时间在推荐接口电路情况下,MCU/DSP输出的控制信号死区时间应考虑光耦的时间延迟。)
供电直流电压VCC:≤400V/800V(此即为加在P-N之间的直流母线电压);
输入开通电平Vth(on):≤1.2V(此即为开通时IPM控制端子电平,低电压有效);
输入关断电平Vth(off):≥4V(此即为关断时IPM控制端子电平)。
高速光耦:重视响应时间(tPLH,tPHL)和CMR的值。
推荐tPLH,tPHL在0.8μs以下的高CMR型产品,CMR>10KV/us@VCM=1500V;
       特别要注意确认不能发生振荡现象;
       高速光耦的上拉电阻:20KΩ(6/7单元)/6.8 KΩ(1/2单元);
       AVAGO:HCPL-4503/04/06
              ACPL-W456/P456
              ACPL-W454/P454
       NEC:PS9613
       东芝:TLP559/759
低速光耦:重视CTR的值,推荐CTR在100%以上的产品。
       东芝:PS2502
       NEC:TLP521
CTR:电流传输比(Current Transfer Ratio)
CMR: 共模信号抑制比 (Common Mode Rejection)
tPLH:L到H传输延迟时间
tPHL:H到L传输延迟时间
L1系列IPM用接插件见下表:
L1系列IPM接插件
L1系列IPM的保护功能框图:
IPM根据故障产生的原因采用了3种保护电路:UV(控制电源欠压保护)、SC(短路保护)、OT (过温保护)。
L1系列IPM保护时序
IPM模块的安全运行:
1. 模块本身对环境参数的要求:安全工作区。任何情况下都不要超过规格书中的最大额定值对IPM来说,Vce<Vces,Ic<Icp,Tj<125°C,控制电源电压Vcc<20V,等。
2. 选择合适容量的器件
3. 合理设计(接口电路和主电路):减少引线电感,防止互相干扰;故障端子Fo的利用。
4. 防止模块损坏的软件设计:
根据应用场合(负载)特性进行匹配编程,防止某些点出现异常电流;死区时间(tdead)的设计:大于规格书中的推荐值(IPM端子处);Fo中断的处理以及主电路电流的控制,等。
5. 上/下电时序问题:上电是先控制回路后主电路;下电正相反。
上电/下电的时序
L1系列IPM上电/下电时序
注意事项:
1.L1系列IPM的推荐布线如下:
1)主回路走线和控制信号线间不要有交叉。信号线和电源线应防止平行走线(同一层)或交叉(上下层) →防止互相干扰;
2)P侧控制电源走线和控制信号线间不要有交叉。
3)光耦输出侧与IPM控制端子间的配线应该尽量短,光耦输出至IPM输入的连线应尽可能短(<2~3cm) →防止拾取噪音;
4)光耦的输入输出之间,各相间,各电源间应保证绝缘距离。
2.Fo端子在IPM内部已串联有1.5kΩ电阻,外部不需另加电阻;若不用,应将之与控制电源(VD)相连;
3.不要在IPM外部将VNC与N端进行连接,因IPM内部已相互连接。
4.推荐将IPM的接口电路PCB板直接或通过接插件焊接在IPM上→减少连线电感。
5.上电顺序:开关电源应先于主电路电源合上/建立。
6. 散热器应与IPM基板良好接触(请按推荐的力矩固定并加导热硅脂)。
布线不良可能的后果:
电路布线不良容易造成IPM输入信号振荡,最终可能导致IPM保护误动作或损坏。
L1系列IPM PCB布线参考
IPM接口电路布线参考
IPM吸收电路设计
IPM吸收电路设计
功率电路吸收电容推荐表
IPM逆变器系统主电路
IPM主电路布局图
 
 
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