IGBT驱动参数评估十三-二极管开通

6 IGBT驱动参数变化对 IGBT模块工作时二极管开通的影响
二极管的开通行为受到一些参数的影响，下面会详细讨论。为了便于比较，引用了一个典型的测量基准。
6.1 变化的门极电阻RG
在IGBT关断时，门极电阻对二极管开通的影响，只能通过延迟整个开关事件来观测，如图49,50,51所示。
然而，需要提到一个有趣的现象，从测试结果可看到，在二极管到达其正常正偏压降之前，会产生一个负压过冲。当二极管的正向电流IF随着时间增加，二极管的漂移区会产生逐渐增大的电压降，因为该区域没有电导调制，直到空间电荷区放电至热平衡值。如果存在较大的di/dt，二极管寄生电感也会产生一个明显的压降。这两个因素导致了一个过冲-也被称为正向恢复电压VFRM，其值有可能从几十伏到几百伏，伴随着结温及换流速度的增加。文章来源：http://www.igbt8.com/qd/144.html
Max(C2): 15.83V, Max(C3): 73A, Min(C4): -32V Max(C2): 15.53V, Max(C3): 77A, Min(C4): -34V Max(C2): 15.53V, Max(C3): 77A, Min(C4): -32V