GeneSiC碳化硅SiC功率器件

GeneSiC碳化硅历史：

•先驱者

全球三家提供晶元制造的公司之一

7 BAA Subcontracts: Northrup Grumman, Delphi, others

15 Contracts and 20+ Subcontracts with the US Government

Funding from DOE, DARPA, ARPA-E, NSWC, ONR SPAWAR, ARDEC, etc.

5 Issued Patents on leading SiC Transistors

•2004年由Ranbir Singh博士创立

25 Issued Patents, 1 First Author Book, 102 Papers

Lead commercialization for first SiC diode product in USA while working at Cree ('95-'03)

两大产品系列:

Silicon Carbide Products 碳化硅产品

Silicon Products 硅产品

碳化硅产品：

•分立碳化硅

肖特基整流管

超结晶体管

晶闸管

IGBT + SiC整流管 (Copack)

•碳化硅模组

IGBT + SiC 整流管 (Copack)

•碳化硅整流器

1A 到 20A

现在: 1200V, 1800V and 2000V

TO-220, TO-247, TO-263, and SOT-89

•超结晶体管

导通电阻 250 mΩ

1200 V

•IGBT + SiC 整流管 (Copack)

35A TO-247 和 100A SOT-227

现在: 1200V转载请注明出处 http://www.igbt8.com

SiC 市场应用：

技术定位：

SiC 市场电压规划：

SiC 应用展望：

SiC 根据电压市场细分：

碳化硅技术的好处：

SiC vs Si技术对比：

上海菱端电子科技有限公司：

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