热销产品
GeneSiC碳化硅SiC功率器件(3)
Si IGBT/SiC Diode模组：
• 特性/好处
- 光穿透 (OPT) IGBT 设计
- 150 oC工作温度
- Vf 的正温度系数，易于并联使用
- 超快开关瞬态
- SiC Diode的温度独立开关性能
- 提升电路效率
- 业内最好的RBSOA/SCSOA性能
• 应用
太阳能逆变器(a)、航空致动器、服务器电源、谐振逆变器 > 100 kHz、感应加热、电焊机。
Si – SiC 混合产品：
GeneSiC 混合模组产品和所有硅模块在1200 V/ 100 A 下开关特性：
•Si IGBT/SiC Diode Copacks
- 额定电流范围35 A ~ 100 A
- 额定电压 1200 V
- 业内标准封装 – TO-247 and SOT-227
- RoHS 认证
•Switching Transients
- The Reverse Recovery Characteristics of FWD reflect on the IGBT Turn On Characteristics in the IGBT modules/copacks
- The Lower QC of FWD in GeneSiC Hybrid Copack will reduce the IGBT and FWD switching losses tremendously as compared to the commercial All-Si IGBT module转载请注明出处 http://www.igbt8.com
GeneSiC 混合模组和所有硅模块在1200V/ 100 A 下开关比较：
1200 V 晶体管参数对照：
• Switching Comparison
- A significant reduction of about 88% and 47% in the IGBT Turn On and FWD Turn On Lossesrespectively can be realized by using GeneSiC Hybrid IGBT Copack
- GeneSiC Hybrid IGBT Copacks deliver an Overall Switching Loss reduction of about 28% as compared to the current stateof-the-art Si IGBT modules
- Replacing the Si IGBT in these Copacks with a SiC Switch will further reduce the Overall Losses
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